研究领域：介观体系下的电子输运性质

 二维材料电子输运性质的理论研究 自 2004 年石墨烯被成功制备以来，实验上已经制备合成了大量具有 独特电子输运性质的新型二维材料。在室温和更高温度下，电声子相互作 用是散射电子的最主要散射机制，由此导致的电导率被称为材料的本征电 导率。通过第一性原理计算,我们研究了 ABA 堆叠的三层石墨烯和羟基吸 附的 MXene 材料 Hf2C(OH)2 在室温下的本征电导率。我们提出了三层石 墨烯中电声子相互作用的选择定则并澄清了 Hf2C(OH)2中的近自由电子气 对材料电导率的影响。相应的工作发表在 Phys. Rev. B 105, 195433 (2022) 和 Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 24219 (2022)。

 拓扑半金属电子输运性质的理论研究 量子 Hall 效应的发现和对其物理本质的不断深入的认识，最终导致了 拓扑材料这一全新物理概念的出现，随后不断涌现的各种各样的拓扑材料 为实现低能耗的电子器件提供了丰富的材料载体。本人建立了有效的哈密 顿量模型，讨论了谷间散射和高阶费曼图对拓扑半金属在磁场下的电导率 的影响。相应的工作发表在 J. Phys.: Condens. Matter 32, 205502(2020)和 Solid State Commun. 334, 114266 (2021)。