- [EI]稻草制备ＳｉＣ晶须
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- 所属单位：材料科学工程学院
- 教研室：材料科学工程学院
- 发表刊物：功能材料
- 项目来源：其他课题
- 关键字：稻草；制备；ＳｉＣ晶须；ＶＬＳ机理
- 摘要：以废弃的稻草为原料，在１３００～１４００℃的 氩气保护条件下制备ＳｉＣ晶须。研究反应温度、反应 时间、催化剂对ＳｉＣ晶须制备的影响和反应机理。 结果表明，ＳｉＣ晶须在１３５０℃时生长最好；ＳｉＣ晶须 温度控制在１３５０℃左右为宜，采用先高温成核再低 温保温的加热方式，反应时间控制在２ｈ；碳化硅晶 须主要以β型为主，同时含有少量α型ＳｉＣ晶须。 晶须以竹节状居多，晶须直径为１０～２００ｎｍ 之间， 长径比＞１０。用Ｆｅ粉和Ｈ３ＢＯ３ 作催化剂所生成的 晶须较多，但其长径比较小。反应机理主要是ＶＬＳ 机理，以废弃稻草为原料制备ＳｉＣ晶须为稻草应用 提供了一种新的途径。
- 第一作者：贾素秋
- 论文类型：期刊论文
- 卷号：44
- 期号：3
- 页面范围：2
- ISSN号：1001-9731
- 是否译文：否
- CN号：50-1099/TH
- 发表时间：2013-02-15
