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Affiliation of Author(s):材料科学工程学院
Teaching and Research Group:材料科学工程学院
Journal:功能材料
Funded by:其他课题
Key Words:稻草；制备；ＳｉＣ晶须；ＶＬＳ机理
Abstract:以废弃的稻草为原料，在１３００～１４００℃的 氩气保护条件下制备ＳｉＣ晶须。研究反应温度、反应 时间、催化剂对ＳｉＣ晶须制备的影响和反应机理。 结果表明，ＳｉＣ晶须在１３５０℃时生长最好；ＳｉＣ晶须 温度控制在１３５０℃左右为宜，采用先高温成核再低 温保温的加热方式，反应时间控制在２ｈ；碳化硅晶 须主要以β型为主，同时含有少量α型ＳｉＣ晶须。 晶须以竹节状居多，晶须直径为１０～２００ｎｍ 之间， 长径比＞１０。用Ｆｅ粉和Ｈ３ＢＯ３ 作催化剂所生成的 晶须较多，但其长径比较小。反应机理主要是ＶＬＳ 机理，以废弃稻草为原料制备ＳｉＣ晶须为稻草应用 提供了一种新的途径。
First Author:Jia Suqiu
Indexed by:Journal paper
Volume:44
Issue:3
Page Number:2
ISSN No.:1001-9731
Translation or Not:no
CN No.:50-1099/TH
Date of Publication:2013-02-15